Fabrication and characterisation of high resistivity SOI substrates for monolithic high energy physics detectors

Silicon on Insulator (SOI) substrates offer a promising platform for monolithic high energy physics detectors with integrated read-out electronics and pixel diodes. This paper describes the fabrication and characterisation of specially-configured SOI substrates using improved bonded wafer ion split and grind/polish technologies. The crucial interface between the high resistivity handle silicon and the SOI buried oxide has been characterised using both pixel diodes and circular geometry MOS transistors. Pixel diode breakdown voltages were typically greater than 100V and average leakage current densities at 70 V were only 55 nA/ sq cm. MOS transistors subjected to 24 GeV proton irradiation showed an increased SOI buried oxide trapped charge of only 3.45x1011cn-2 for a dose of 2.7Mrad

Improved Thermal Performance of SOI Using Compound Buried Layer

The buried oxide (BOX) layer in silicon on insulator (SOI) was replaced by a compound buried layer (CBL) containing layers of SiO2, polycrystalline silicon (polysilicon), and SiO2. The undoped polysilicon in the CBL acted as a dielectric with a higher thermal conductivity than SiO2. CBL provides a reduced thermal resistance with the same equivalent oxide thickness as a standard SiO2 buried layer. Thermal resistance was further reduced by lateral heat flow through the polysilicon. Reduction in thermal resistance by up to 68% was observed, dependent on polysilicon thickness. CBL SOI substrates were designed and manufactured to achieve a 40% reduction in thermal resistance compared with an 1.0-μm SiO2 BOX. Power bipolar transistors with an active silicon layer thickness of 13.5 μm manufactured on CBL SOI substrates showed a 5%-17% reduction in thermal resistance compared with the standard SOI. This reduction was dependent on transistor layout geometry. Between 65% and 90% of the heat flow from these power transistors is laterally through the thick active silicon layer. Analysis confirmed that CBL SOI provided a 40% reduction in the vertical path thermal resistance. Devices employing thinner active silicon layers will achieve the greater benefit from reduction in vertical path thermal resistance offered by CBL SOI.

Évolution de l'identité professionnelle d'étudiantes de niveaux collégial et universitaire dans le contexte de la réalisation d'un stage en milieu de garde québécois ou international

La présente étude a comme objectif d'évaluer l'impact du stage pratique comme situation d'apprentissage dans le développement de l'identité professionnelle. Le cadre conceptuel fait référence à une perspective interactionniste où transige une dialectique entre le sujet et le monde de la socialisation professionnelle: donc, d'une identité négociée en fonction des valeurs du milieu d'éducation et des intérêts de l'individu. Des mesures de ce construit sont prises en compte avant et après la réalisation du stage, puis sont comparées au construit collectif associé aux milieux de stage. Le choix méthodologique s'est porté vers la méthode Q qui s'avère une approche compatible avec l'étude des systèmes de valeurs des individus (Stephenson, 1953). Ainsi, la technique du Q-Sort consiste en une priorisation impliquant un tri d'énoncés de nature qualitative. Le traitement statistique permet ensuite d'examiner l'interrelation d'attitudes individuelles privilégiées par un groupe de répondants. L'échantillon se compose de stagiaires en milieux de garde du collégial (n= ll), de niveau universitaire (n=12) et d'éducatrices (n=81 ) provenant du Québec, de la France, de la Belgique et du Mali. Le Q-sort se compose de 79 énoncés distribués selon une répartition quasi-normale à choix forcés dans sept catégories. L'analyse statistique porte sur les matrices inversées de données afin d'évaluer le degré de rapprochement entre les individus dans la priorisation des valeurs en se basant sur les corrélations et les analyses factorielles. Les résultats mettent en évidence le degré de rapprochement entre les systèmes de valeurs des éducatrices québécoises et ceux des intervenants des autres pays. Quant à l'impact du stage sur les étudiantes, celui-ci se traduit par un éloignement, un rapprochement ou un maintien aux valeurs des éducatrices des milieux de garde. L'étude démontre qu'il s'avère possible d'évaluer l'impact de la formation pratique sur les valeurs liées à l'identité professionnelle tant sur le plan qualitatif que quantitatif.