立方相GaN/GaAs（100）质量的X射线双晶衍射研究

于2010-11-23批量导入

GaN压电效应对载流子浓度的影响

在NH_3源GSMBE生长的GaN中观察到较大的双轴张应变。随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Hall测试得到的背景电子浓度增大。该文应用GaN的压电效应对此进行了解释。

生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究

在室温下测量了用MOVPE方法生长在尖晶石(MgAl_2O_4)衬底上的GaN外延层的一阶喇曼光谱。应用各种背散射和90°散射配置，测得了除低频E_2模外所有GaN的喇曼活性光学声子模。并且在X(Z,X)Z和X(Y,Y)Z配置下观测到了由A_1和E_2模混合形成的准TO和准LO模。所得结果与群论选择定则预计的一致。

GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究

用NH_3作氮源的GSMBE方法在晶向为(0001)的α-Al_2O_3衬底上生长非有意掺杂的单晶GaN外延膜，GaN膜呈N型导电，室温时的最高迁移率约为120cm~2/(V·s),相应的非有意掺杂电子浓度为9.1×10~(17)cm~(-3)。对一些GaN膜进行了变温Hall测试，通过电阻率、背景电子浓度以及Hall迁移随温度的变化研究了GaN外延膜的导电机理。结果表明，当温度较低时，以电子在施主中心之间的输运导电为主；当温度较高时，以导带中的自由电子导电为主。

在GaSb衬底上生长c-GaN的初步研究

AES、XPS和XRD谱结果证明

GaN外延层的拉曼散射研究

测量了用MOCPE方法生长在尖晶石衬底上的GaN外延层和用MBE方法生长在蓝宝石衬底上的GaN外延层的喇曼散射,测量在室温下进行。

GaN材料的GSMBE生长

在国内首次用NH_3作氮源的GSMBE方法在α-Al_2O_3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0.5μm/h。GaN外延膜的(0002)双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arcmin，霍尔迁移率为50cm~2/V·s。对质量好的GaN膜，室温阴极发光谱上只有一个强而锐的近带边发光峰，谱峰位于372nm处，谱峰半高宽为14nm(125meV)。

MOVPE生长GaN的准热力学模型及其相图

基于准热力学平衡模型对以TMGa和NH_3为源的MOVPE生长GaN的过程进行了分析,并在此基础上计算了MOVPE生长GaN的相图。Gan的MOVPE相图由GaN(s)单凝聚相区、GaN(s)+Ga(1)双凝聚相区、表面会形成Ga滴和不会形成Ga滴的两个腐蚀区构成。着重讨论了生长温度、反应室压力、载气组分、NH_3分解率和V/III比对GaN单凝聚相区边界的影响。

Growth of GaN on magnesium aluminate substrate by LP-MOVPE

于2010-11-23批量导入

用于GaN生长的蓝宝石衬底化学抛光研究

于2010-11-23批量导入

高质量GaN材料的GSMBE生长

国家九五计划,中国博士后基金

GaN的MOVPE生长和m-i-n型蓝光LED的试制

国家863计划

GaN的MOCVD生长

GaN是重要的蓝光半导体材料。以TMGa和BH_3为源在(0112)α-Al_2O_3衬底上成功的用MOCVD方法生长了GaN外延层,研究了GaN的表面形貌与结晶学、电学和光学特性。GaN(2110)面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达16'。并观测到GaN所发出的紫外可见光波段的阴极荧光。

Reduction in crystallographic tilt of lateral epitaxial overgrown GaN by using new patterned shape mask

We proposed a new method to suppress the crystallographic tilt in the lateral epitaxial overgrowth of GaN by using an oxide mask with a newly designed pattern. A rhombus mask with edges oriented in the direction of <10 - 10>(GaN) was used instead of the traditional stripe mask. The morphology evolution during the LEO GaN with the rhombus mask was investigated by SEM, and the crystallographic tilt in the LEO GaN was measured by DC-XRD. It is found that using the new rhombus mask can decrease the crystallographic tilt in the LEO GaN. In addition, this method makes the ELO GaN stripes easy to coalesce. (C) 2003 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.