GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
用NH_3作氮源的GSMBE方法在晶向为(0001)的α-Al_2O_3衬底上生长非有意掺杂的单晶GaN外延膜，GaN膜呈N型导电，室温时的最高迁移率约为120cm~2/(V·s),相应的非有意掺杂电子浓度为9.1×10~(17)cm~(-3)。对一些GaN膜进行了变温Hall测试，通过电阻率、背景电子浓度以及Hall迁移随温度的变化研究了GaN外延膜的导电机理。结果表明，当温度较低时，以电子在施主中心之间的输运导电为主；当温度较高时，以导带中的自由电子导电为主。 国家九五计划,中国博士后基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王晓亮;孙殿照;孔梅影;张剑平;曾一平;李晋闽;林兰英.GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究,半导体学报,1998,19(12):890 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
