高质量GaN材料的GSMBE生长


Autoria(s): 王晓亮; 孙殿照; 孔梅影; 张剑平; 傅荣辉; 朱世荣; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
Data(s)

1997

Resumo

国家九五计划,中国博士后基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19505

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104390

Idioma(s)

中文

Fonte

王晓亮;孙殿照;孔梅影;张剑平;傅荣辉;朱世荣;曾一平;李晋闽;林兰英.高质量GaN材料的GSMBE生长,半导体学报,1997,18(12):935

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文