GaN材料的GSMBE生长
| Data(s) |
1997
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|---|---|
| Resumo |
在国内首次用NH_3作氮源的GSMBE方法在α-Al_2O_3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0.5μm/h。GaN外延膜的(0002)双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arcmin，霍尔迁移率为50cm~2/V·s。对质量好的GaN膜，室温阴极发光谱上只有一个强而锐的近带边发光峰，谱峰位于372nm处，谱峰半高宽为14nm(125meV)。 在国内首次用NH_3作氮源的GSMBE方法在α-Al_2O_3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0.5μm/h。GaN外延膜的(0002)双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arcmin，霍尔迁移率为50cm~2/V·s。对质量好的GaN膜，室温阴极发光谱上只有一个强而锐的近带边发光峰，谱峰位于372nm处，谱峰半高宽为14nm(125meV)。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:39导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5777.pdf: 212951 bytes, checksum: 66316619cdba17515365426fe0b7c976 (MD5) Previous issue date: 1997 国家863计划 中科院半导体所 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王晓亮;孙殿照;李晓兵;黄运衡;朱世荣;曾一平;李晋闽;孔梅影;林兰英.GaN材料的GSMBE生长,高技术通讯,1997,7(3):1 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
