半导体GaN／MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析

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Autoria(s): 韩培德; 杨海峰; 张泽; 段树坤; 滕学公

Data(s)	1998
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19279 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104277
Idioma(s)	中文
Fonte	韩培德;杨海峰;张泽;段树坤;滕学公.半导体GaN／MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析,半导体学报,1998,19(10):736
Palavras-Chave	#半导体材料
Tipo	期刊论文