GaN的MOCVD生长
| Data(s) |
1995
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| Resumo |
GaN是重要的蓝光半导体材料。以TMGa和BH_3为源在(0112)α-Al_2O_3衬底上成功的用MOCVD方法生长了GaN外延层,研究了GaN的表面形貌与结晶学、电学和光学特性。GaN(2110)面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达16'。并观测到GaN所发出的紫外可见光波段的阴极荧光。 GaN是重要的蓝光半导体材料。以TMGa和BH_3为源在(0112)α-Al_2O_3衬底上成功的用MOCVD方法生长了GaN外延层,研究了GaN的表面形貌与结晶学、电学和光学特性。GaN(2110)面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达16'。并观测到GaN所发出的紫外可见光波段的阴极荧光。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:10导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6006.pdf: 384499 bytes, checksum: 6058e8477c48bbe58ead73ec67c4fc74 (MD5) Previous issue date: 1995 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陆大成;汪度;王晓晖;董建荣;刘祥林;高维滨;李成基;李蕴言.GaN的MOCVD生长,半导体学报,1995,16(11):831 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
