GaN外延层的拉曼散射研究
| Data(s) |
1997
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|---|---|
| Resumo |
测量了用MOCPE方法生长在尖晶石衬底上的GaN外延层和用MBE方法生长在蓝宝石衬底上的GaN外延层的喇曼散射,测量在室温下进行。 测量了用MOCPE方法生长在尖晶石衬底上的GaN外延层和用MBE方法生长在蓝宝石衬底上的GaN外延层的喇曼散射,测量在室温下进行。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:37导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5771.pdf: 247717 bytes, checksum: d5f122be98ffb4cd18eed926eb8101ca (MD5) Previous issue date: 1997 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李国华;韩和相;汪兆平;段树琨;王晓亮.GaN外延层的拉曼散射研究,光散射学报,1997,9(2/3):152 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
