计入衍射几何因子和多重性因子的立方GaN相含量的测定

以回摆法衍射峰的积分强度为基础，提出了X射线衍射分析单晶体时的多重性因子和衍射几何因子的概念，推导出普遍适用的相含量计算公式。利用双晶X射线多功能四圆衍射仪测绘GaN/GaAs(001)外延层中立方相(002)面、{111}面和六角相{10-10}面的极图和倒易空间Mapping，分析了六角相和立方相微孪晶的各晶面在极图中的分布特征及计算相含量时的多重性因子和衍射几何因子，并根据立方相(002)、立方相微孪晶{111}、六角相{10-11}和{10-10}衍射峰的积分强度，求得外延层中立方相微孪晶和六角相的含量。

MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED

于2010-11-23批量导入

P型GaN和AlGaN外延材料的制备

研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0.13 Ga0.87N的生长工艺，包括掺杂剂量和热退火条件，对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P型材料，并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管。

高迁移率AlGaN-GaN二维电子气

国家863计划,国家自然科学基金

GaN发光二极管的负电容现象

采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性，由此可以同时测量结电容和串联电阻，并能判断二极管是否有界面层。首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下，GaN二极管的结电容具有负值，并且测试频率越低，正向偏压越大，负电容现象越显著。这种负电容效应可能与大正向电压下强注入造成的电子-空穴复合发光有关。

RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料

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RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料

用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料。所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×10~(17)cm~(-3)，相应的电子迁移率为177cm~2/(V·s);GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为6'；AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为730cm~2(V·s)，相应的电子气面密度为7.6×10~(12)cm~(-2)；用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管(HFET)室温跨导达50mS/mm(栅长1μm)，截止频率达13GHz(栅长0.5μm)。

InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管

采用金属有机物气相外延方法，研制了InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管。测量了其电致发光光谱，及发光强度与注入电流的关系。室温20mA的注入电流时，发光波长峰值为530nm，半高宽为30nm。注入电流小于40mA时，发光强度随注入电流单调递增。

Au-GaN肖特基结的伏安特性

在MBE和MOCVD两种方法制备的n-GaN材料上制作了Au-GaN肖特基结，测定了肖特基结的室温I-V特性。分析表明

Al_xGa_（1-x）N and GaN/Al_xGa_（1-x）N Quantum Wells Grown by Gas Sourc

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N型GaN的持续光电导

该文报道了金属有机的化学气相外延(MOVPE)生长的未人为掺杂和掺Si n-GaN的持续光电导(Persistent Photoconductivity-PCC)。在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为。实验结果表明，未人为掺杂和掺Si n-GaN的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷，这些缺陷可以是V_(Ga)空位、N_(Ga)反位或者V_(Ga)-Si_(Ga)络合物。和未人为掺杂样品A相比，样品B中因Si的并入导致GaN中的深能级缺陷增加，提高了GaN中黄光发射，使持续光电导衰变减慢,但实验未发现黄光的加强和光电导衰变特性与两样品生长温度有明显关系。随测量温度的增加，持续光电导衰变加快，衰变曲线能用扩展指数定律进行拟合。

GaAs（001）衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究

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MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs（001）中六角相含量退火行为的研究

采用高温热退火的方法，在不同条件下对低压MOCVD在GaAs(001)衬底制备的立方GaN薄膜进行处理，利用光致发光光谱和Raman散射光谱来研究六角相的含量变化。报道了亚稳态立方GaN的六角相含量变化条件及其光学特征。在GaN/GaAs之间存在一个界面层，高温退火时，来自界面层的TO_B，LO_B声子的强度降低，而来自六角相的E_2声子增强，说明六角相含量增加。样品原结晶质量欠佳是六角相含量变化发生的主要原因。在较低的温度下，六角相含量没有明显变化，而且与退火时间无关。

分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析

运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相GaN/GaAs异质微观结构。在GaN外延层中，观察到大量的、不对称的{111}面缺陷(层错和微孪晶)，以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列，并对面缺陷的生成机理进行了讨论。

Al_2O_3/Si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备

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