GaN发光二极管的负电容现象
| Data(s) |
2000
|
|---|---|
| Resumo |
采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性，由此可以同时测量结电容和串联电阻，并能判断二极管是否有界面层。首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下，GaN二极管的结电容具有负值，并且测试频率越低，正向偏压越大，负电容现象越显著。这种负电容效应可能与大正向电压下强注入造成的电子-空穴复合发光有关。 半导体超晶格国家重点实验室基金,人工微结构与介观物理国家重点实验室基金,国家自然科学基金,半导体超晶格国家重点实验室基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
沈君;王存达;杨志坚;秦志新;童玉珍;张国义;李月霞;李国华.GaN发光二极管的负电容现象,发光学报,2000,21(4):338 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
