高迁移率AlGaN-GaN二维电子气


Autoria(s): 刘祥林; 王成新; 韩培德
Data(s)

2000

Resumo

国家863计划,国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18467

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103871

Idioma(s)

中文

Fonte

刘祥林;王成新;韩培德.高迁移率AlGaN-GaN二维电子气,高技术通讯,2000,10(6):13

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文