Au-GaN肖特基结的伏安特性
| Data(s) |
2000
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|---|---|
| Resumo |
在MBE和MOCVD两种方法制备的n-GaN材料上制作了Au-GaN肖特基结，测定了肖特基结的室温I-V特性。分析表明 国家九五计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
林兆军;张太平;武国英;王玮;阎桂珍;孙殿照;张建平;张国义.Au-GaN肖特基结的伏安特性,半导体学报,2000,21(4):369 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
