分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析


Autoria(s): 韩培德; 杨海峰; 杨辉; 林耀望; 张泽; 李新峰; 周增圻
Data(s)

1999

Resumo

运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相GaN/GaAs异质微观结构。在GaN外延层中,观察到大量的、不对称的{111}面缺陷(层错和微孪晶),以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列,并对面缺陷的生成机理进行了讨论。

中国博士后基金,国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19055

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104165

Idioma(s)

中文

Fonte

韩培德;杨海峰;杨辉;林耀望;张泽;李新峰;周增圻.分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析,半导体学报,1999,20(1):58

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文