分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析
Data(s) |
1999
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Resumo |
运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相GaN/GaAs异质微观结构。在GaN外延层中,观察到大量的、不对称的{111}面缺陷(层错和微孪晶),以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列,并对面缺陷的生成机理进行了讨论。 中国博士后基金,国家自然科学基金 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
韩培德;杨海峰;杨辉;林耀望;张泽;李新峰;周增圻.分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析,半导体学报,1999,20(1):58 |
Palavras-Chave | #半导体材料 |
Tipo |
期刊论文 |