InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管
| Data(s) |
2000
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|---|---|
| Resumo |
采用金属有机物气相外延方法，研制了InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管。测量了其电致发光光谱，及发光强度与注入电流的关系。室温20mA的注入电流时，发光波长峰值为530nm，半高宽为30nm。注入电流小于40mA时，发光强度随注入电流单调递增。 采用金属有机物气相外延方法，研制了InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管。测量了其电致发光光谱，及发光强度与注入电流的关系。室温20mA的注入电流时，发光波长峰值为530nm，半高宽为30nm。注入电流小于40mA时，发光强度随注入电流单调递增。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:44导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5436.pdf: 250430 bytes, checksum: a23c9f0a45e754e427f83605b85063ac (MD5) Previous issue date: 2000 国家863计划 中科院半导体所 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王晓晖;刘祥林;陆大成;袁海荣;韩培德;汪度.InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管,半导体学报,2000,21(7):726 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
