MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED


Autoria(s): 王晓晖; 刘祥林; 陆大成; 袁海荣; 韩培德; 汪度
Data(s)

2001

Resumo

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:09:46导入数据到SEMI-IR的IR

Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5277.pdf: 190002 bytes, checksum: 377a62b8aeef46020223b545aa25a5fa (MD5) Previous issue date: 2001

国家863计划

中科院半导体所

国家863计划

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18459

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103867

Idioma(s)

中文

Fonte

王晓晖;刘祥林;陆大成;袁海荣;韩培德;汪度.MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED,高技术通讯,2001,11(2):38

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文