P型GaN和AlGaN外延材料的制备
| Data(s) |
2000
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| Resumo |
研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0.13 Ga0.87N的生长工艺，包括掺杂剂量和热退火条件，对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P型材料，并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管。 研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0.13 Ga0.87N的生长工艺，包括掺杂剂量和热退火条件，对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P型材料，并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:47导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5279.pdf: 196585 bytes, checksum: c0ad5ca9af55f1c0772d3f4bdaf17610 (MD5) Previous issue date: 2000 国家863计划,国家自然科学基金 中科院半导体所 国家863计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘祥林;王成新;韩培德;陆大成;王晓晖;汪度;王良臣.P型GaN和AlGaN外延材料的制备,高技术通讯,2000,10(8):26 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
