Al_2O_3/Si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备

于2010-11-23批量导入

立方相GaN/GaAs（100）质量的X射线双晶衍射研究

于2010-11-23批量导入

GaN压电效应对载流子浓度的影响

在NH_3源GSMBE生长的GaN中观察到较大的双轴张应变。随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Hall测试得到的背景电子浓度增大。该文应用GaN的压电效应对此进行了解释。

生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究

在室温下测量了用MOVPE方法生长在尖晶石(MgAl_2O_4)衬底上的GaN外延层的一阶喇曼光谱。应用各种背散射和90°散射配置，测得了除低频E_2模外所有GaN的喇曼活性光学声子模。并且在X(Z,X)Z和X(Y,Y)Z配置下观测到了由A_1和E_2模混合形成的准TO和准LO模。所得结果与群论选择定则预计的一致。

GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究

用NH_3作氮源的GSMBE方法在晶向为(0001)的α-Al_2O_3衬底上生长非有意掺杂的单晶GaN外延膜，GaN膜呈N型导电，室温时的最高迁移率约为120cm~2/(V·s),相应的非有意掺杂电子浓度为9.1×10~(17)cm~(-3)。对一些GaN膜进行了变温Hall测试，通过电阻率、背景电子浓度以及Hall迁移随温度的变化研究了GaN外延膜的导电机理。结果表明，当温度较低时，以电子在施主中心之间的输运导电为主；当温度较高时，以导带中的自由电子导电为主。

在GaSb衬底上生长c-GaN的初步研究

AES、XPS和XRD谱结果证明

GaN外延层的拉曼散射研究

测量了用MOCPE方法生长在尖晶石衬底上的GaN外延层和用MBE方法生长在蓝宝石衬底上的GaN外延层的喇曼散射,测量在室温下进行。

GaN材料的GSMBE生长

在国内首次用NH_3作氮源的GSMBE方法在α-Al_2O_3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0.5μm/h。GaN外延膜的(0002)双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arcmin，霍尔迁移率为50cm~2/V·s。对质量好的GaN膜，室温阴极发光谱上只有一个强而锐的近带边发光峰，谱峰位于372nm处，谱峰半高宽为14nm(125meV)。

MOVPE生长GaN的准热力学模型及其相图

基于准热力学平衡模型对以TMGa和NH_3为源的MOVPE生长GaN的过程进行了分析,并在此基础上计算了MOVPE生长GaN的相图。Gan的MOVPE相图由GaN(s)单凝聚相区、GaN(s)+Ga(1)双凝聚相区、表面会形成Ga滴和不会形成Ga滴的两个腐蚀区构成。着重讨论了生长温度、反应室压力、载气组分、NH_3分解率和V/III比对GaN单凝聚相区边界的影响。

Growth of GaN on magnesium aluminate substrate by LP-MOVPE

于2010-11-23批量导入

用于GaN生长的蓝宝石衬底化学抛光研究

于2010-11-23批量导入

高质量GaN材料的GSMBE生长

国家九五计划,中国博士后基金

GaN的MOVPE生长和m-i-n型蓝光LED的试制

国家863计划

GaN的MOCVD生长

GaN是重要的蓝光半导体材料。以TMGa和BH_3为源在(0112)α-Al_2O_3衬底上成功的用MOCVD方法生长了GaN外延层,研究了GaN的表面形貌与结晶学、电学和光学特性。GaN(2110)面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达16'。并观测到GaN所发出的紫外可见光波段的阴极荧光。