（111）A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性

为了研究(111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器，利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)研究了(111)A InP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性。考虑到(111)A InP衬底的悬挂键密度比较低，在生长过程中有意提高了V／III比。通过扫描电子显微镜(SEM)和光荧光(PL)谱分别研究了外延层的表面形貌和光学特性。实验发现，表面形貌和光学特性随V／III比和温度的变化非常大。最佳V／IlI比和温度分别为400和625℃。

基于InP／空气隙布拉格反射镜的长波长谐振腔光电探测器

报道了一种长波长的InP基谐振腔(RCE)光电探测器．采用选择性湿法刻蚀，制备出基于InP／空气隙的分布布拉格反射镜，并将该结构的反射镜引人RCE光电探测器．制备的器件在波长1.510μm处获得了约59％的峰值量子效率，以及8GHz的3dB响应带宽，其中器件的台面面积为50μm * 50μm．

InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点（线）的光学性质研究

在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线，并研究了量子点、线的光学性质。结果表明，两种方式都可生长出较强发光的量子点(线)；由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构，分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的。

10*10nGaAsP/InP阵列波导光栅器件的研制

研制了脊形波导结构的10*10InGaAsP/InP阵列波导光栅器件（AWG），并采用掺饵光纤放大器（EDFA）作宽带光源测量了AWG的近场图以及分光特性。

光电子材料InP玷污的研究

文章给出了光电子材料InP的（100）和（111）晶面质谱分析的结果，对（100）晶面做了光荧光分析。在300和77 K温度下测量了（100）晶面的电子浓度及电子迁移率。研究表明玷污主要来自硅。

窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究

采用窄条宽选区生长化学气相沉积（NSAG-MOCVD）技术在掩膜宽度0～40 μm范围内，获得波长漂移达177.5 nm的高质量的InGaAsP材料，经推导，获得各个生长区域的组份、应变和In，Ga的气相浓度增加因子的比值随掩膜条宽的变化关系，并且认为该比值在阈值掩膜宽度范围内，与III族分压比相关，大于阈值掩膜宽度范围内，与III族源无关，此外，对材料富In现象作了合理解释。

窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子

报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积（NSAG－MOCVD）成功生长的InP系材料，并提出在NSAG－MOCVD生长研究中，引入填充因子的必要性，给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式，计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系。与实验结果作了比较，发现InP的速率增强因子主要取决于掩膜宽度，InGaAsP的速率增强因子不仅与掩膜宽度有关，同时也依赖于生长厚度，且这种依赖性随掩膜宽度的增加而增加。

非原生掺杂半绝缘磷化铟（InP）及其应用对比

过去的几年中，由于1.31和1.55μm波长半导体激光器在光纤通信领域得到了广泛的应用，磷化铟（InP）衬底材料的研究和规模化生产因此受到了极大的推动，并已逐步成为继硅（Si）和砷化镓（GaAs）之后又一重要的化合物半导体材料。与GaAs相比，InP晶体具有高的饱和电场漂移速度、良好的导热性和较强的抗辐射能力等优点，因此更适合于制造高频、高速、大功率及外层空间用微波器件和电路。从实际使用的情况看，n和p型InP衬底的性能已基本满足要求，而半绝缘类型衬底则无论从一致性还是均匀性方面都需要较大程度地改善。相应地，这种改善的途径和方法已成为半导体材料的研究热点之一。

气相和溶液多硫化物钝化InP表面的XPS和AFM研究

国家自然科学基金

InGaAs/InP中离子注入和新型HPT

北京市基金,国家自然科学基金

半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器

于2010-11-23批量导入

生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响

研究不同生长温度下的InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长，用光致发光和X射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性，得到了室温脉冲激射1.3μm AlGaInAs有源区SCH-MQW结构材料，为器件制作研究打下了基础。

InP衬底表面的H_2/N_2等离子体清洁技术

该文介绍了用电子回旋共振(ECR)H_2/N_2等离子体去除InP衬底表面的氧、碳原子的方法，并保持了InP衬底表面原有的有序结构，给出了这种处理方法的工艺条件，对这种方法的优越性进行了系统的分析和讨论，得出了一些有价值的结论。

1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长

报道了用低压金属有机物化学气相淀积(LP-MOCVD)方法外延生长InGaAsP/InP应变补偿多量子阱结构。用此材料制备的掩埋异质结(BH)条形结构多量子阱激光器具有极低阈值电流4～6mA。20～40℃时特征温度T_0高达67K，室温下外量子效率为0.3mW/mA。