（111）A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性
| Data(s) |
2004
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|---|---|
| Resumo |
为了研究(111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器，利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)研究了(111)A InP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性。考虑到(111)A InP衬底的悬挂键密度比较低，在生长过程中有意提高了V／III比。通过扫描电子显微镜(SEM)和光荧光(PL)谱分别研究了外延层的表面形貌和光学特性。实验发现，表面形貌和光学特性随V／III比和温度的变化非常大。最佳V／IlI比和温度分别为400和625℃。 国家“863”基金项目（2 3AA311 7 ）,国家“863”基金项目（2 3AA311 7 ）,国家重大基础研究项目（G2 366 6） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘瑞东;于丽娟;芦秀玲;黄永箴;张福甲.（111）A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性,液晶与显示,2004,19(2):87-91 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
