InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点（线）的光学性质研究
| Data(s) |
2003
|
|---|---|
| Resumo |
在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线，并研究了量子点、线的光学性质。结果表明，两种方式都可生长出较强发光的量子点(线)；由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构，分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的。 在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线，并研究了量子点、线的光学性质。结果表明，两种方式都可生长出较强发光的量子点(线)；由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构，分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:32导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4966.pdf: 286817 bytes, checksum: 409909ab014ca8d25a847fd1e4285675 (MD5) Previous issue date: 2003 国家自然科学基金资助项目69876 37 北京石油化工学院;中国科学院半导体研究所;中科院半导体所 国家自然科学基金资助项目69876 37 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
武光明;朱江;李月法;贾锐.InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点（线）的光学性质研究,材料研究学报,2003,17(6):566-570 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
