1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
报道了用低压金属有机物化学气相淀积(LP-MOCVD)方法外延生长InGaAsP/InP应变补偿多量子阱结构。用此材料制备的掩埋异质结(BH)条形结构多量子阱激光器具有极低阈值电流4～6mA。20～40℃时特征温度T_0高达67K，室温下外量子效率为0.3mW/mA。 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈博;王圩;汪孝杰;张静媛;周帆;马朝华.1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长,中国激光,1998,25(9):785 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
