窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究
Data(s) |
2002
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Resumo |
采用窄条宽选区生长化学气相沉积(NSAG-MOCVD)技术在掩膜宽度0~40 μm范围内,获得波长漂移达177.5 nm的高质量的InGaAsP材料,经推导,获得各个生长区域的组份、应变和In,Ga的气相浓度增加因子的比值随掩膜条宽的变化关系,并且认为该比值在阈值掩膜宽度范围内,与III族分压比相关,大于阈值掩膜宽度范围内,与III族源无关,此外,对材料富In现象作了合理解释。 采用窄条宽选区生长化学气相沉积(NSAG-MOCVD)技术在掩膜宽度0~40 μm范围内,获得波长漂移达177.5 nm的高质量的InGaAsP材料,经推导,获得各个生长区域的组份、应变和In,Ga的气相浓度增加因子的比值随掩膜条宽的变化关系,并且认为该比值在阈值掩膜宽度范围内,与III族分压比相关,大于阈值掩膜宽度范围内,与III族源无关,此外,对材料富In现象作了合理解释。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:08:09导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5060.pdf: 238979 bytes, checksum: 697cd5a94cdbb24c83c93f658e72bdf7 (MD5) Previous issue date: 2002 国家973项目(编号:G2 683-1),国家自然科学基金(编号:6989626 )资助项目 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心;中国科学院半导体研究所;长春光机学院 国家973项目(编号:G2 683-1),国家自然科学基金(编号:6989626 )资助项目 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
张瑞英;董杰;周帆;李国华;边静;冯志伟;王圩.窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究,中国激光,2002,A29(9):832-836 |
Palavras-Chave | #半导体化学 |
Tipo |
期刊论文 |