窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子

报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积（NSAG－MOCVD）成功生长的InP系材料，并提出在NSAG－MOCVD生长研究中，引入填充因子的必要性，给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式，计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系。与实验结果作了比较，发现InP的速率增强因子主要取决于掩膜宽度，InGaAsP的速率增强因子不仅与掩膜宽度有关，同时也依赖于生长厚度，且这种依赖性随掩膜宽度的增加而增加。

非原生掺杂半绝缘磷化铟（InP）及其应用对比

过去的几年中，由于1.31和1.55μm波长半导体激光器在光纤通信领域得到了广泛的应用，磷化铟（InP）衬底材料的研究和规模化生产因此受到了极大的推动，并已逐步成为继硅（Si）和砷化镓（GaAs）之后又一重要的化合物半导体材料。与GaAs相比，InP晶体具有高的饱和电场漂移速度、良好的导热性和较强的抗辐射能力等优点，因此更适合于制造高频、高速、大功率及外层空间用微波器件和电路。从实际使用的情况看，n和p型InP衬底的性能已基本满足要求，而半绝缘类型衬底则无论从一致性还是均匀性方面都需要较大程度地改善。相应地，这种改善的途径和方法已成为半导体材料的研究热点之一。

气相和溶液多硫化物钝化InP表面的XPS和AFM研究

国家自然科学基金

InGaAs/InP中离子注入和新型HPT

北京市基金,国家自然科学基金

半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器

于2010-11-23批量导入

生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响

研究不同生长温度下的InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长，用光致发光和X射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性，得到了室温脉冲激射1.3μm AlGaInAs有源区SCH-MQW结构材料，为器件制作研究打下了基础。

InP衬底表面的H_2/N_2等离子体清洁技术

该文介绍了用电子回旋共振(ECR)H_2/N_2等离子体去除InP衬底表面的氧、碳原子的方法，并保持了InP衬底表面原有的有序结构，给出了这种处理方法的工艺条件，对这种方法的优越性进行了系统的分析和讨论，得出了一些有价值的结论。

1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长

报道了用低压金属有机物化学气相淀积(LP-MOCVD)方法外延生长InGaAsP/InP应变补偿多量子阱结构。用此材料制备的掩埋异质结(BH)条形结构多量子阱激光器具有极低阈值电流4～6mA。20～40℃时特征温度T_0高达67K，室温下外量子效率为0.3mW/mA。

光电子材料InP与金属接触的物理特性研究

讨论了InP与金属接触时的电荷输运方式;给出了n型InP材料掺杂浓度为(1×10~(15) ～1×10~(17)) cm~(-3)时电子输运(以热电子发射为主)的数学表达式; 测量了国产InP单晶与一些金属的接触势垒;分析了“金属—n~+-InP”结构,得到了n~+区厚度和势垒高度间的关系。理论结果与实验符合,表明采用该结构,可得到一个势垒极低的金属与InP电极的欧姆接触。

InGaAsP/InP有源时分光子交换器件

自行设计并研制成功了两种有源时分光子交换器件:InGaAsP/InP EMPBH双稳激光器及InGaAsP/InP MQW DCPBH双稳激光器, 对这两种器件的部分性能作了简要报道。

应变补偿InGaAsP/InP量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成

该文在国内首先报道采用MOVPE技术研制成功了InGaAsP/InP应变补偿型量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成器件，实现了300mW单纵模工作，采用调制光放大器 、静态偏置DFB激光器的方法，产生了低啁啾、高功率的单纵模高频光脉冲。集成器件的研制成功，为其它含介质光栅反射器的光子集成器件的研制开辟了一条广阔的道路。

低阈值1.3μm InGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP-MOCVD生长

报道了用低压－金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法制作1.3μm应变补偿多量子阱结构材料。X射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±4级卫星峰和卫星峰间的Pendellosong条纹。整个有源区的平均应变量几乎为零。用掩埋异质结(BH)条形工艺制备的含一级光栅的DFB激光器室温下阈值电流2～4mA,外量子效率0.33mW/mA,线性输出光功率达30mW,边模抑制比(SMSR)大于35dB。20～40℃下的特征温度T_0为67K。

In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化

国家863计划