光电子材料InP与金属接触的物理特性研究

讨论了InP与金属接触时的电荷输运方式;给出了n型InP材料掺杂浓度为(1×10~(15) ～1×10~(17)) cm~(-3)时电子输运(以热电子发射为主)的数学表达式; 测量了国产InP单晶与一些金属的接触势垒;分析了“金属—n~+-InP”结构,得到了n~+区厚度和势垒高度间的关系。理论结果与实验符合,表明采用该结构,可得到一个势垒极低的金属与InP电极的欧姆接触。