In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化


Autoria(s): 王晓亮; 孔殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平
Data(s)

1998

Resumo

国家863计划

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19247

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104261

Idioma(s)

中文

Fonte

王晓亮;孔殿照;孔梅影;侯洵;曾一平.In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化,半导体学报,1998,19(6):417

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文