低阈值1.3μm InGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP-MOCVD生长
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
报道了用低压－金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法制作1.3μm应变补偿多量子阱结构材料。X射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±4级卫星峰和卫星峰间的Pendellosong条纹。整个有源区的平均应变量几乎为零。用掩埋异质结(BH)条形工艺制备的含一级光栅的DFB激光器室温下阈值电流2～4mA,外量子效率0.33mW/mA,线性输出光功率达30mW,边模抑制比(SMSR)大于35dB。20～40℃下的特征温度T_0为67K。 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈博;王圩;汪孝杰;张静媛;朱洪亮;周帆;王玉田;马朝华;张子莹;刘国利.低阈值1.3μm InGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP-MOCVD生长,半导体学报,1998,19(3):218 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
