GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究

利用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对气体源分子束外延(GS-MBE)生长的GaP/Si异质结构进行了详细的分析。其结果表明

离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征

用电子能谱分析方法对低能离子束外延(IBE)生长的β-FeSi_2进行了详细研究，并对其电子能谱进行了表征。实测出XPS价带谱与有关理论计算结果相符，用XPS价带谱来表征β-FeSi_2比光电子峰更为清晰、可取。同时，对样品纵向分析表明界面处存在有较厚的过渡层。根据分析结果对低能IBE生长机理进行了探讨。经研究认为:Fe,Si通过空位机制进行的增强互扩散，在高温下生长出与Si晶格相匹配的β-FeSi_2。

在Si（111）上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究

于2010-11-23批量导入

nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

采用常规PECVD工艺，在N型单晶硅(c-Si)衬底上沉积薄层纳米Si(nc-Si)膜，并进而制备了nc-Si:H/c-Si量子点二极管。在10～100K温度范围内实验研究了该结构的σ-V和I-V特性。结果指出，当反向偏压为-7～-9V时，无论在σ-V还是在I-V特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在nc-Si:H膜中具有无序排布且粒径大小不一的Si微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象。如果进一步改进膜层生工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Si微晶粒的nc-Si:H膜，有可能实现更高温度范围内的共振隧穿。

X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs势光晶片的亚表面损伤层厚度

通过测量SI-GaAs抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层)的X射线回摆曲线FWHM,与抛光晶片的TEM观测相结合，作出晶片回摆曲线FWHM的比率R与TEM观测的晶征亚表面损伤层厚度D的关系曲线，建立了一种定量检测SI-GaAa抛光晶片的片表面损伤层厚度技术，文中将对这种技术进行描述并作讨论。

Si（5,5,12）-一个大元胞的稳定表面

于2010-11-23批量导入

GSMBE 生长掺杂 Si 及GeSi/Si合金及其电学性质研究

用气态源分子束外延法对Si及GeSi/Si合金进行了N、P型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程，所获得的N型及P型载流子浓度范围分别为1.5×10~(16)～4.0×10~(19)cm~(-3)及1.0×10~(17)～2.0×10~(19)cm~(-3),基于对n型Si外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系，用Klaassen模型对实验结果进行拟合，分析了不同散射机制，特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响。此外，样品的二次离子谱及扩展电阻分析表明，N、P型杂质浓度纵向分布较为均匀，无明显的偏析现象。

γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长

国家计委八五计划,国家计委九五计划

GeSi/Si应变结构内应力纵向分布

利用深能级瞬态谱(DLTS）研究分子束外延n-Ge_0.2)Si_(0.8)/Si应变超晶格，观察到两个与位错有关的深中心，其中一个能级位置在E_C=0.42eV,另一个随着偏压变化而发生明显 的移动，深能级位置从E_C=0.21eV变化到E_C=0.276eV,我们认为是内应力引起的。取该深能级的流体静压力系数γ=6.59meV/Kba,求出超晶格中的应力分布与计算值符合较好。在此基础上提出了一种通过测量深能级随应力移动效应来确定应变结构内应力纵向分布的新方法。

GeSi/Si应变超晶格退火及离子注入研究

用深能级瞬态谱(DLTS)研究退火及离子注入对分子束外延生长的GeS/i/Si应变超晶格性质的影响，观察到3个与位错有关的深中心和1个表层内的深中心，退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍，说明GeSi/Si应变超晶格不适应做过多的热处理。测定Pd~+注入在GeSi/Si超晶格的杂质能级为E_C=0.28eV,与体Si中的Pd杂质能级一致。

GeSi/Si多量子阱红外探测器波导结构的理论计算

采用传输矩阵的方法计算了Ge_xSi_(1-x)/Si量子阱红外探测器结构参量对多量子阱波导结构模场分布，光场限制因子和有效吸收系数的影响，并给出了优化设计的结果。

稀土（Er）和氧（O）双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究

用光致发光谱(PL)、傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)和X射线衍射谱(XRD)等研究了稀土(Er)和氧(O)双离子注入GaAs和Si的发光特性和高效发光机理。测量并分析了该材料的FTIR和XRD谱;对该材料的高效发光机制作了较深入地探讨和澄清。

优质应变Si_(1-x)Ge_x/Si超晶格的气源分子束处延

于2010-11-23批量导入

Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性

采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍.从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％,且m≈1.1的值表明外延层的质量及对载流子的收集效率是高的.随着激发功率的增加,可以看到PL谱的蓝移.