GeSi/Si应变结构内应力纵向分布

利用深能级瞬态谱(DLTS）研究分子束外延n-Ge_0.2)Si_(0.8)/Si应变超晶格，观察到两个与位错有关的深中心，其中一个能级位置在E_C=0.42eV,另一个随着偏压变化而发生明显 的移动，深能级位置从E_C=0.21eV变化到E_C=0.276eV,我们认为是内应力引起的。取该深能级的流体静压力系数γ=6.59meV/Kba,求出超晶格中的应力分布与计算值符合较好。在此基础上提出了一种通过测量深能级随应力移动效应来确定应变结构内应力纵向分布的新方法。