在Si（111）上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究
| Data(s) |
1998
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| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:04导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5681.pdf: 340936 bytes, checksum: e632620c9610800854a90909e0002f97 (MD5) Previous issue date: 1998 国家八五计划 北京师范大学分析测试中心;中科院半导体所 国家八五计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
吴正龙;姚振钰;张建辉;刘志凯;秦复光.在Si（111）上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究,北京师范大学学报. 自然科学版,1998,34(4):492 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
