离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征
| Data(s) |
1998
|
|---|---|
| Resumo |
用电子能谱分析方法对低能离子束外延(IBE)生长的β-FeSi_2进行了详细研究，并对其电子能谱进行了表征。实测出XPS价带谱与有关理论计算结果相符，用XPS价带谱来表征β-FeSi_2比光电子峰更为清晰、可取。同时，对样品纵向分析表明界面处存在有较厚的过渡层。根据分析结果对低能IBE生长机理进行了探讨。经研究认为:Fe,Si通过空位机制进行的增强互扩散，在高温下生长出与Si晶格相匹配的β-FeSi_2。 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
吴正龙;杨锡震;秦复光.离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征,北京师范大学学报. 自然科学版,1998,34(2):206 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
