GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
利用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对气体源分子束外延(GS-MBE)生长的GaP/Si异质结构进行了详细的分析。其结果表明 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
吴正龙;余金中;成步文;于卓;李晓文;王启明.GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究,发光学报,1998,19(2):109 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
