GSMBE 生长掺杂 Si 及GeSi/Si合金及其电学性质研究
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
用气态源分子束外延法对Si及GeSi/Si合金进行了N、P型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程，所获得的N型及P型载流子浓度范围分别为1.5×10~(16)～4.0×10~(19)cm~(-3)及1.0×10~(17)～2.0×10~(19)cm~(-3),基于对n型Si外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系，用Klaassen模型对实验结果进行拟合，分析了不同散射机制，特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响。此外，样品的二次离子谱及扩展电阻分析表明，N、P型杂质浓度纵向分布较为均匀，无明显的偏析现象。 国家九五计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘学锋;刘金平;李建平;李灵霄;孙殿照;孔梅影;林兰英.GSMBE 生长掺杂 Si 及GeSi/Si合金及其电学性质研究,半导体学报,1998,19(12):896 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
