GeSi/Si应变超晶格退火及离子注入研究
| Data(s) |
1997
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|---|---|
| Resumo |
用深能级瞬态谱(DLTS)研究退火及离子注入对分子束外延生长的GeS/i/Si应变超晶格性质的影响，观察到3个与位错有关的深中心和1个表层内的深中心，退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍，说明GeSi/Si应变超晶格不适应做过多的热处理。测定Pd~+注入在GeSi/Si超晶格的杂质能级为E_C=0.28eV,与体Si中的Pd杂质能级一致。 用深能级瞬态谱(DLTS)研究退火及离子注入对分子束外延生长的GeS/i/Si应变超晶格性质的影响，观察到3个与位错有关的深中心和1个表层内的深中心，退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍，说明GeSi/Si应变超晶格不适应做过多的热处理。测定Pd~+注入在GeSi/Si超晶格的杂质能级为E_C=0.28eV,与体Si中的Pd杂质能级一致。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:34导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5759.pdf: 328419 bytes, checksum: b76d04b4eeac960c6eb089a87440f695 (MD5) Previous issue date: 1997 中科院半导体所;中科院物理所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
肖剑飞;封松林;彭长四.GeSi/Si应变超晶格退火及离子注入研究,红外与毫米波学报,1997,16(5):321 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
