γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长


Autoria(s): 昝育德; 王俊; 韩秀峰; 王玉田; 王维民; 王占国; 林兰英
Data(s)

1998

Resumo

国家计委八五计划,国家计委九五计划

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19271

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104273

Idioma(s)

中文

Fonte

昝育德;王俊;韩秀峰;王玉田;王维民;王占国;林兰英.γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长,半导体学报,1998,19(12):886

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文