快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响（英文）

利用光电流谱，结合X射线双晶衍射研究了快速退火对Si_(1-x)Ge/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响。由于应变SiGe的部分弛豫和Si-Ge互扩散，退火后的二极管的截止波长有显著的减小。但是，在750-850℃范围内，波长蓝移量随着退火温度的增加而变化缓慢，而样品的光电流强度却随温度是先减弱而后又增强，这可能主要是由于在不同温度退火过程中失配位错的产生和点缺陷的减小造成的。

GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布

通过实验研究了一种与Ge_xSi_(1-x)合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层Ge_xSi_(1-x)/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布。实验结果表明

使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性（英文）

使用四圆衍射仪和双晶衍射技术，分析了SiC体单晶的结构和极性。SiC单晶体由化学气相淀积法获得。六方{10-15}极图证明了该单晶结构为6H型。三轴晶衍射中的ω模式衍射强度的差异判定了该单晶的Si终端面和C终端面，即极性面。两个面的一、二、三级衍射强度的测量比值与经过散射因子修正后计算的结构振幅平方比值｜F(000L)｜~2/｜F(000-L)｜~2非常吻合。因此，利用极性面的衍射强度差异，可以方便、严格地判断具有类似结构如2H{0001}、4H{0001}及3C-SiC{111}的极性。

Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method

于2010-11-23批量导入

掺铒a-Si∶H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构

国家自然科学基金,国家攀登计划

Annealing Behavior of Si_(1-x)Ge_x/Si Heterostructures

于2010-11-23批量导入

UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学

利用SiH_4和GeH_4作为源气体，对UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si外延层的表面反应机理进行了研究，通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH_4的饱和吸附、热脱附过程，得出SiH_4的分解应该是每个SiH_4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面，SiH_4的吸附率正比于表面空位的4次方，并分析了GeH_4的表面吸附机制。在此基础上建立了UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟，二者符合得很好。

用于共振腔光电探测器的Si基Bragg反射器

Si基共振腔型光电探测器的关键工艺是隐埋Bragg反射器镜面的制备。用PECVD方法在Si衬底上制备了SiO_xN_y/Si Bragg反射器，研究了Bragg反射器的反射谱和退火行为。

垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果。测试了它的光电流谱和量子效率。探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段。在1.3μm处量子效率为0.1%。量子效率峰值在0.95μm处达到20%。

Quantum Confinement Effects in Strained Si Ge/Si Multiple Quantum Wells

于2010-11-23批量导入

掺杂nc-Si∶H膜的电导特性

于2010-11-23批量导入

UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料

以Si_2H_6和GeH_4作为源气体，用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了Si_(1-x)Ge_x合金材料和Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱结构。用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究。结果表明样品的表面平整光滑，平均粗糙度为1.2nm；整个外延片各处的晶体质量都比较好，各处生长速率平均偏差3.31%，合金组分x值的平均偏差为2.01%;Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱材料的X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰，而且在卫星峰之间观察到了Pendellosung条纹，表明晶格质量和界面质量都很好；Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱材料的TEM照片中观察不到位错的存在。

用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管

国家九五计划

Photocurrent Measurem entof Si_(1-x)Ge_x/Si Multiple Quantum Wells With Ion Im plantationand Therm al Annealing

于2010-11-23批量导入