GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
通过实验研究了一种与Ge_xSi_(1-x)合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层Ge_xSi_(1-x)/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布。实验结果表明 通过实验研究了一种与Ge_xSi_(1-x)合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层Ge_xSi_(1-x)/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布。实验结果表明 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:33导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5403.pdf: 146119 bytes, checksum: 2fc8c2ce424ed13b3103f56afc656a6f (MD5) Previous issue date: 2001 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张秀兰;朱文珍;黄大定.GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布,半导体学报,2001,22(3):288 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
