用于共振腔光电探测器的Si基Bragg反射器
| Data(s) |
2000
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| Resumo |
Si基共振腔型光电探测器的关键工艺是隐埋Bragg反射器镜面的制备。用PECVD方法在Si衬底上制备了SiO_xN_y/Si Bragg反射器，研究了Bragg反射器的反射谱和退火行为。 Si基共振腔型光电探测器的关键工艺是隐埋Bragg反射器镜面的制备。用PECVD方法在Si衬底上制备了SiO_xN_y/Si Bragg反射器，研究了Bragg反射器的反射谱和退火行为。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:47导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5445.pdf: 332032 bytes, checksum: 5101580730be379b3c1239447fb56347 (MD5) Previous issue date: 2000 国家自然科学基金,国家863计划,国家自然科学基金 中科院半导体所;中科院半导体所国家光电子工艺中心 国家自然科学基金,国家863计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李成;杨沁清;朱家廉;王红杰;成步文;余金中;王启明;王鲁峰;彭晔.用于共振腔光电探测器的Si基Bragg反射器,半导体学报,2000,21(5):483 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
