UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学
| Data(s) |
2000
|
|---|---|
| Resumo |
利用SiH_4和GeH_4作为源气体，对UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si外延层的表面反应机理进行了研究，通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH_4的饱和吸附、热脱附过程，得出SiH_4的分解应该是每个SiH_4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面，SiH_4的吸附率正比于表面空位的4次方，并分析了GeH_4的表面吸附机制。在此基础上建立了UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟，二者符合得很好。 利用SiH_4和GeH_4作为源气体，对UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si外延层的表面反应机理进行了研究，通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH_4的饱和吸附、热脱附过程，得出SiH_4的分解应该是每个SiH_4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面，SiH_4的吸附率正比于表面空位的4次方，并分析了GeH_4的表面吸附机制。在此基础上建立了UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟，二者符合得很好。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:45导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5441.pdf: 345123 bytes, checksum: 9bf1f629f3675e18db3075c24da1ed96 (MD5) Previous issue date: 2000 国家自然科学基金,国家863计划 中科院半导体所 国家自然科学基金,国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
于卓;李代宗;成步文;黄昌俊;雷震霖;余金中;王启明;梁骏吾.UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学,半导体学报,2000,21(6):564 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
