Annealing Behavior of Si_(1-x)Ge_x/Si Heterostructures
| Data(s) |
2000
|
|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:41导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5426.pdf: 295281 bytes, checksum: dcc343294ada9aa47a1bbf26ec76cf78 (MD5) Previous issue date: 2000 国家自然科学基金 中科院半导体所;中科院沈阳科学仪器研制中心 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
英语 |
| Fonte |
于卓;李代宗;成步文;李成;雷震霖;黄昌俊;张春辉;余金中;王启明;梁骏吾.Annealing Behavior of Si_(1-x)Ge_x/Si Heterostructures,半导体学报,2000,21(10):962 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
