GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性

采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将GaAs/AlGaAs量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大。

半导体ZnTe/GaAs界面层错的高分辨显微分析

该项研究对经热壁外延(HWE)生长在GaAs基底上的ZnTe进行高分辨显微结构的观察。在ZnT/GaAs界面上不仅存在着混合型全位错的扩展，而且首次发现类似螺旋位错分解的层错，并将其归结为原子在不全位错之后的堆积。

低温和高压条件对GaAs/AlAs弱耦合超晶格电场畴形成的影响

于2010-11-23批量导入

InAs薄膜Hall器件

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SiC单晶的生长及其器件研制进展

SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等物点。在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景。该文综述了半导体SiC单晶和薄膜的生长及其器件研制的概况。

在Si（111）上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究

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InGaAs/GaAs/InGaP Strained quantum well lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition

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nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

采用常规PECVD工艺，在N型单晶硅(c-Si)衬底上沉积薄层纳米Si(nc-Si)膜，并进而制备了nc-Si:H/c-Si量子点二极管。在10～100K温度范围内实验研究了该结构的σ-V和I-V特性。结果指出，当反向偏压为-7～-9V时，无论在σ-V还是在I-V特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在nc-Si:H膜中具有无序排布且粒径大小不一的Si微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象。如果进一步改进膜层生工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Si微晶粒的nc-Si:H膜，有可能实现更高温度范围内的共振隧穿。

应变补偿InGaAsP/InP量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成

该文在国内首先报道采用MOVPE技术研制成功了InGaAsP/InP应变补偿型量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成器件，实现了300mW单纵模工作，采用调制光放大器 、静态偏置DFB激光器的方法，产生了低啁啾、高功率的单纵模高频光脉冲。集成器件的研制成功，为其它含介质光栅反射器的光子集成器件的研制开辟了一条广阔的道路。

选择腐蚀确定垂直腔面发射激光器生长偏差对模式波长的影响

提出一种可在垂直腔面发射激光器外延生长后准确确定其模式生长偏差的简便方法。利用选择性湿法腐蚀，分别测出器件各主要部分的微区光反射谱，通对模拟计算得到这些部分的厚度偏差及其对模式波长偏移的影响，使调整后再生长的器件模式位置大为改善，并为器件后期制备的模式调节提供了可靠的依据。

硅中层错带中空位的电子态

计算了硅中带状层错中的空位电子态，所使用的Recursion方法是建立在原子轨道线性组合法的基础上，考虑了s~-p~-,d~-型十个原子轨道。用Lanczos法得到了带隙及带连续态中的电子态，局域态密度是用连续连分数来表示的，硅中理想空位的三重简并态分裂为三个能级。从价态顶算起，它们的能量分别为-0.3,0.3,1.7eV。价带顶之上0.3eV的带隙态同纯层错中发现的电子态相似，但局域态密度要高一些。价带顶之上1.7eV的在导带中的电子态是一个强共振态。价带顶之下0.3eV的价带中的电子态则是一个弱共振态。

扫描隧道显微镜对InAs/GaAs自组织生长量子点的准原位研究

报道了用MBE-SPM联合系统对InAs/GaAs量子点进行准原位研究的初步结果。STM图像表明，在对n~+-GaAs衬底进行脱氧处理后，通过生长GaAs缓冲层能有效的改善表面质量。在缓冲层上继续生长2单原子层InAs后形成了量子点。SPM与透射电子显微镜给出的量子点形貌的异同在文中也给出了合理的解释，该研究工作的进一步深入将对自组织生长量子点的生长机理的理解和样品质量的提高有重要意义。

CoSi2超薄外延膜的生长研究

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半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量

利用X射线双晶衍射Bond方法，精确测量了各种条件下生长的半绝缘GaAs的晶格参数。建立了过量As在晶体中存在的间隙原子对模型，在理论上找到了影响半绝缘GaAs晶格参数的根本原因。并建立了半绝缘GaAs晶格参数与化学配比的关系，实现了化学配比的无损测量。这对于GaAs单晶的制备和相关光电子器件的研究具有重要意义。

硅的位错核心结构无悬挂键

应用物理学平衡状态下能量最低的基本原理,通过分析透射电镜晶格象,制作了90°、30°分位错及Cotterll位错等一系列的模型,说明硅中位错核心无悬挂键。