SiC单晶的生长及其器件研制进展
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等物点。在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景。该文综述了半导体SiC单晶和薄膜的生长及其器件研制的概况。 SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等物点。在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景。该文综述了半导体SiC单晶和薄膜的生长及其器件研制的概况。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:04导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5679.pdf: 270367 bytes, checksum: 258e6a1a460b92ecc2eb5a82dcfa5cf6 (MD5) Previous issue date: 1998 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王引书;李晋闽;林兰英.SiC单晶的生长及其器件研制进展,材料研究学报,1998,12(3):233 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
