半导体ZnTe/GaAs界面层错的高分辨显微分析
| Data(s) |
1998
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| Resumo |
该项研究对经热壁外延(HWE)生长在GaAs基底上的ZnTe进行高分辨显微结构的观察。在ZnT/GaAs界面上不仅存在着混合型全位错的扩展，而且首次发现类似螺旋位错分解的层错，并将其归结为原子在不全位错之后的堆积。 该项研究对经热壁外延(HWE)生长在GaAs基底上的ZnTe进行高分辨显微结构的观察。在ZnT/GaAs界面上不仅存在着混合型全位错的扩展，而且首次发现类似螺旋位错分解的层错，并将其归结为原子在不全位错之后的堆积。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:02导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5676.pdf: 326945 bytes, checksum: f3fdbcfa14d339e712facd4d78003be4 (MD5) Previous issue date: 1998 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
韩培德.半导体ZnTe/GaAs界面层错的高分辨显微分析,电子显微学报,1998,17(2):166 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
