低温和高压条件对GaAs/AlAs弱耦合超晶格电场畴形成的影响
| Data(s) |
1998
|
|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:02导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5677.pdf: 357571 bytes, checksum: f65a0faed3f6136d753a7d83d43e600c (MD5) Previous issue date: 1998 国家自然科学基金 中科院物理所;中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘振兴;孙宝权;江德生.低温和高压条件对GaAs/AlAs弱耦合超晶格电场畴形成的影响,低温与超导,1998,26(3):23 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
