半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量
| Data(s) |
1998
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| Resumo |
利用X射线双晶衍射Bond方法，精确测量了各种条件下生长的半绝缘GaAs的晶格参数。建立了过量As在晶体中存在的间隙原子对模型，在理论上找到了影响半绝缘GaAs晶格参数的根本原因。并建立了半绝缘GaAs晶格参数与化学配比的关系，实现了化学配比的无损测量。这对于GaAs单晶的制备和相关光电子器件的研究具有重要意义。 利用X射线双晶衍射Bond方法，精确测量了各种条件下生长的半绝缘GaAs的晶格参数。建立了过量As在晶体中存在的间隙原子对模型，在理论上找到了影响半绝缘GaAs晶格参数的根本原因。并建立了半绝缘GaAs晶格参数与化学配比的关系，实现了化学配比的无损测量。这对于GaAs单晶的制备和相关光电子器件的研究具有重要意义。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:17导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5702.pdf: 445392 bytes, checksum: c0abf3333a4f9916218857ffe99ca515 (MD5) Previous issue date: 1998 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王玉田;陈诺夫;何宏家;林兰英.半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量,半导体学报,1998,19(4):267 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
