选择腐蚀确定垂直腔面发射激光器生长偏差对模式波长的影响
| Data(s) |
1998
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| Resumo |
提出一种可在垂直腔面发射激光器外延生长后准确确定其模式生长偏差的简便方法。利用选择性湿法腐蚀，分别测出器件各主要部分的微区光反射谱，通对模拟计算得到这些部分的厚度偏差及其对模式波长偏移的影响，使调整后再生长的器件模式位置大为改善，并为器件后期制备的模式调节提供了可靠的依据。 提出一种可在垂直腔面发射激光器外延生长后准确确定其模式生长偏差的简便方法。利用选择性湿法腐蚀，分别测出器件各主要部分的微区光反射谱，通对模拟计算得到这些部分的厚度偏差及其对模式波长偏移的影响，使调整后再生长的器件模式位置大为改善，并为器件后期制备的模式调节提供了可靠的依据。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:13导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5689.pdf: 204290 bytes, checksum: 727dcb6f75fd35543fe16dc3e0c62580 (MD5) Previous issue date: 1998 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张益;潘钟;杜云;陈志标;郑联喜;吴荣汉.选择腐蚀确定垂直腔面发射激光器生长偏差对模式波长的影响,半导体学报,1998,19(1):76 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
