GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性
| Data(s) |
1998
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| Resumo |
采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将GaAs/AlGaAs量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大。 采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将GaAs/AlGaAs量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:00导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5672.pdf: 301762 bytes, checksum: afeb25bc73d6ee654e456ac4cc331ac5 (MD5) Previous issue date: 1998 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王杏华;李国华;李承芳;李月霞;程文超;宋爱民;刘剑;王志明.GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性,发光学报,1998,19(3):202 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
