硅的位错核心结构无悬挂键
| Data(s) |
1998
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| Resumo |
应用物理学平衡状态下能量最低的基本原理,通过分析透射电镜晶格象,制作了90°、30°分位错及Cotterll位错等一系列的模型,说明硅中位错核心无悬挂键。 应用物理学平衡状态下能量最低的基本原理,通过分析透射电镜晶格象,制作了90°、30°分位错及Cotterll位错等一系列的模型,说明硅中位错核心无悬挂键。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:20导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5709.pdf: 391282 bytes, checksum: 923b9fd87f4194b31cda63c3813cd4e2 (MD5) Previous issue date: 1998 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
昝育德.硅的位错核心结构无悬挂键,半导体学报,1998,19(6):406 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
