δ掺杂AlGaAs/GaAs HEMT的二维量子模型

首次建立了δ掺杂AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)的二维量子模型，这种模型考虑了HEMT器件沟道中二维电子气的量子特性。根据这个模型，应用二维数值模拟方法和自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了器件沟道中的二维电子浓度，同时也得到了器件沟道中的横向电场分布和横向电流密度，模拟结果表明二维电子气主要分布在异质结GaAs一侧量子阱中。详细讨论了不同栅压和不同漏压下HEMT沟道中的二维电子浓度的分布及变化。

InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应研究

通过吸收光电流谱的测量,观察到用国产MBE设备生长的与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性,报道了可用于波导型调制器制作的MQW样品材料的X射线双晶衍射结果,并用计算机模拟出与实测十分相似的曲线,得到了可靠的量子阱结构,证明样品材料具有优良的外延质量.利用等效无限深阱模型进行的理论计算表明,应考虑样品p-i-n结内建电场的影响,才能使算出的吸收边红移与实验值符合.

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料

简要报告气态源分子束外延实验结果。材料是GaAs(100)衬底上外延的晶格匹配的In_y(Ga_(1-x)Al_x)_(1-y)P(x=0～1,y=0.5),InGaP/InAlP多量子阱;在InP(100)衬底上外延的InP,晶格匹配的InGaAs、InAlAs以及InP/InGaAs、InP/InAsP多量子阱,InGaAs/InAlAs HEMT等,外延实验是用国产第一台化学束外延(CBE)系统做的。

InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器

报道了一种新型的具有InGaAs量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器.采用钨丝作为掩膜,通过两次垂直交叉H~+质子轰击工艺制备器件,初步实现了室温脉冲工作,最低阈值电流达20mA,激射波长为915nm,器件的串联电阻最低达120Ω.

GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系

研究了具有不同阱宽的GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系,发现在低温范围内,声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加,对实验结果作了讨论。

980 nm InGaAs应变量子阱激光器和掺铒光纤放大器用泵浦源

利用分子束外延技术研制出了高质量InGaAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器。在室温和10 K温度下,应变量子阱材料的光荧光峰值半宽分别为32 meV和.4 meV,宽接触激光器的阈值电流密度低达140 A/cm~2。脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15 mA和0.8 W/A,线性输出功率大于120 mW,基横模输出功率可达100 mW。InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合其组合件出纤光功率典型值为40 mW,最大值可达60 mW,显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率。其组合件在40 mW下,中心发射波长在977 nm,成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器泵浦源。

980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

报道了眷形波导InGaAs/AIGaAs应变量子阱激光器的特性和实验结果。激光器阈值电流最低为9mA，典型值为15mA，线性输出光功率大于120mW，微分量子效率典型值为60％(镀高反膜和增透膜)，50℃、80mW恒定功率条件下老化实验结果表明

InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)和二次液相外延(LPE)生长的InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为,在MBE激光器的n-Al_xGa_(1-x)As组分缓变层和限制层里,除众所周知的DX中心外,还观察到有较大俘获截面的深(空穴、电子)陷阱及其相互转化.这些陷阱可能分布在x从0到0.40和x=0.40的n-Al_xGa_(1-x)As层里x值不连续的界面附近.而在LPE激光器的n-Al_xGa_(1-x)As组分缓变层和限制层里,DX中心浓度明显减少,且深(空穴、电子)陷阱消失,这表明LPE掩埋结构工艺可能对激光器深中心的消除或减少有一定作用.深中心的变化与样品阈值电流密度的改善是相符的.

HEMT材料的电子辐射效应

用能量为1～1．8MeV、注量为10~13～10~17／cm~2的电子, 对HEMT（高电子迁移率晶体管）材料进行辐照, 得到了材料结构中的二维电子气（2DEG）的电输运性质随辐照电子能量和注量的变化关系, 并进行了讨论。还将该结果与电子辐照P－HEMT和LT－HEMT材料的结果进行了比较, 对异质结界面的辐照效应进行了分析。

InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带驰豫过程

利用时间分辨光谱技术,在11～90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用。

InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究

在国产第一台CEB(Chemical beam epitaxy)设备上,用GSMBE(Gas source molecular beam epitaxy)技术在国内首次研究了InGaAs/InP匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长,用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料,并用双晶X-射线衍射技术对样品进行了测试和分析。结果表明,我们在国产地一台CBE设备上用GSMBE技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好。

InGaAs/GaAs应变量子阱中的激光发光动力学

测量并分析了InGaAs/GaAs应变量子阱中的激子发光衰退特性,研究了激子发光寿命与In组分和阱宽的关系。发现In组分增大时,激子寿命变短,而发光寿命与阱宽的关系不大。文章分析了影响发光寿命的诸多因素,指出在InGaAs/GaAs量子阱中,由合金无序造成的散射对激子发光寿命有重要的影响。

高精度双晶衍射（HRDCD）方法检测InGaAs/GaAs超薄应变层量子阱结构参数

应变超薄层结构的组分、厚度应变状态的直接检测,对于器件应用具有重要的意义,该文中,利用MOCVD方法得到高质量的InGaAs/GaAs量子阱材料,采用双晶衍射方法的弱信号收集技术,结合运动学理论模拟,得出同时包含几个不同阱宽的InGaAs/GaAs量子阱结构的重要参数,其检测结果与光致发光(PL)、透射电子显微镜(TEM)等方法的测试结果基本一致,表明X射线双晶衍射方法是检测超薄层应变量子阱结构的一个有效方法。

MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究

利用MOCVD方法得到了高质量的InGaAs/GaAs应变层量子阱材料,4.3nm量子阱10K PL FWHM仅为3.49meV. 通过对样品荧光谱在变激发强度,变温时的峰位,峰形研究,发现,合金组分起伏散射是样品低温荧光谱展宽的主要原因,因而是MOCVD生长中应该首先解决的问题,实验结果还表明, 在讨论低温PL谱形时,必需考虑光生载流子由随机起伏势中高能位置向低能位置的迁移过程.