GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系
| Data(s) |
1996
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| Resumo |
研究了具有不同阱宽的GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系,发现在低温范围内,声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加,对实验结果作了讨论。 研究了具有不同阱宽的GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系,发现在低温范围内,声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加,对实验结果作了讨论。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:30导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5913.pdf: 379169 bytes, checksum: d300d2d9e92f04b6bf6f06eb3e78d17d (MD5) Previous issue date: 1996 国家自然科学基金 中科院上海技术物理所;西安交通大学微电子研究室;中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
金世荣;褚君浩;汤定元;罗晋生;徐仲英;罗昌平;袁之良;许继宗;郑宝真.GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系,红外与毫米波学报,1996,15(4):291 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
