InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带驰豫过程
| Data(s) |
1995
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| Resumo |
利用时间分辨光谱技术,在11～90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用。 利用时间分辨光谱技术,在11～90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:58导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5981.pdf: 254358 bytes, checksum: 318e1c3bf04d3a6600c656448eafcb00 (MD5) Previous issue date: 1995 中科院上海技术物理所;西安交通大学微电子研究室;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
金世荣;罗晋生;褚君浩;徐仲英;袁之良;罗昌平;许继宗;郑宝真.InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带驰豫过程,红外与毫米波学报,1995,14(3):237 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
